pretraga knjiga
knjige
Donirati
Prijaviti se
Prijaviti se
prijavljenim korisnicima su dostupni:
lične preporuke
Telegram bot
istorija preuzimanja
poslati na Email ili Kindle
upravljanje zbirkama
sačuvanje u izabrano
Lično
Upite za knjige
Proučavanje
Z-Recommend
Spiskovi knjiga
Najpopularnije
Kategorije
Učešće
Donirati
Otpremanja
Litera Library
Donirati papirne knjige
Dodati papirne knjige
Search paper books
Moj LITERA Point
Pretraga ključnih reči
Main
Pretraga ključnih reči
search
1
Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
The Institution of Engineering and Technology
Fei (Fred) Wang
,
Zheyu Zhang
,
and Edward A. Jones
gate
voltage
switching
current
figure
devices
switch
device
characterization
dpt
transient
circuit
capacitance
drain
vds
wbg
vdc
measurement
vgs
dynamic
semiconductor
diode
bandgap
inductance
mosfet
resistance
temperature
active
inductor
impact
capacitor
parasitic
output
parasitics
impedance
commutation
layout
coss
pulse
shown
frequency
signal
converter
junction
operating
conventional
inductive
vds_h
consideration
electronics
Godina:
2018
Jezik:
english
Fajl:
PDF, 78.89 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
english, 2018
1
Idite na
ovaj link
ili potražite bota „@BotFather“ u Telegramu
2
Pošaljite komandu /newbot
3
Navedite ime za svog bota
4
Navedite korisničko ime za bota
5
Kopirajte poslednju poruku od BotFather i ubacite je ovde
×
×